JHM1101宽电压供电解决方案

JHM1101是一款拥有高可靠特性的传感器信号调理芯片，内部集成了放大功能、数字补偿算法、14位ADC和12位DAC，并已通过AEC-Q100 Grade0 认证，符合汽车、工业及诸多消费级产品的应用要求。

在应对一些宽电压（5.5~32V）供电要求时，我们采用N沟道的JFET管来配合JHM1101。请注意，选择管子时，必须使用耗尽型的，不能使用增强型的。JFET只能在耗尽模式下工作，而MOSFET是可以在耗尽模式和增强模式下工作的。

为什么要选择耗尽型的管子呢？因为原理上，这种N沟道结型场效应管正常工作时，在漏源之间加正向电压Uds，形成漏极电流Id；Ugs<0，耗尽层承受反向电压，既保证栅源之间内阻很高，又实现Ugs对沟道电流的控制。当Ugd<Ugs(off)，夹断区加长，此时一方面自由电子从漏极向源极定向移动所受阻力加大，从而导致Id减小；另一方面，随着Uds的增大，使ds间的纵向电场增强，导致Id增大。两种趋势相互抵消，Id表现出恒流特性。

JHM1101在使用JFET稳压时，需要在芯片VDD端加上6V的TVS管或ESD管进一步保护VDD电压，其稳压电路如下图所示：

在使用中选择JFET稳压，可以通过设置芯片内部的寄存器，实现4.8V、5V、5.5V的不同稳定电压值，方便客户根据不同的要求实现0到4.8V，0到5V，0到5.5V的绝对电压的输出需求。

耗尽型管选型推荐 

耗尽型的管子选型时，要求Vgs必须在-4~-0.5V间，推荐使用以下两款：

1、BSS169

2、MMBF4393

• 汽车应用

通常在汽车应用方面，推荐使用BSS169，这是一款已经通过汽车半导体分立器件AEC-Q101认证的产品。

• 工业及消费类应用

在工业及消费类应用方面，通常可使用MMBF4393，当然也可以使用5V的LDO来解决宽电压的问题，推荐GM6155-5.0ST25RG,MIC5233-5.0YM5,78L05S,ME6203A50M3G等器件。

北京久好电子科技有限公司

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